Турцевич Аркадий Степанович

Доктор технических наук (2010 г.), доцент (2014 г.).
Ученый в области электроники и микроэлектроники.
Награжден почетным знаком «Изобретатель СССР»,
Золотой медалью ВОИС в сфере интеллектуальной собственности.

Фото

Аркадий Степанович Турцевич родился 21 ноября 1958 г. в г. Джезказган Казахской ССР. В 1975 г. закончил СШ № 6 г. Калинковичи Гомельской области. С 1975 г. - студент физического факультета Белорусского государственного университета (БГУ), который закончил в 1980 г. В 1980 - 1982 гг. служил в рядах Советской Армии старшим офицером батареи.

С 1982 по 1994 гг. - инженер-технолог, инженер-технолог II категории, инженер-технолог I категории, ведущий инженер, ведущий конструктор, заместитель главного инженера СКТБ НПО «Интеграл». В 1995 - 1996 гг. - начальник отдела управления качеством УП «Завод полупроводниковых приборов». В 2001 - 2009 гг. - заместитель технического директора и заместитель директора по подготовке и обеспечению производства УП «Завод Транзистор». С 2009 г. - главный инженер НПО «Интеграл», с 2010 г. - главный инженер - первый заместитель генерального директора НПО «Интеграл» (с июня 2013 г. - управляющей компании холдинга «Интеграл»). В 2015 - 2017 гг. - начальник управления бытовой техники и электроники Министерства промышленности Республики Беларусь. С 01.09.2017 г. - начальник управления электроники и приборостроения, электротехнической, оптико-механической и станкоинструментальной промышленности.

А.С. Турцевич успешно совмещает трудовую деятельность с научной работой в области микроэлектроники и технологии производства интегральных микросхем (ИМС), дискретных полупроводниковых приборов.

Область научных интересов - развитие технологии химического осаждения из газовой фазы функциональных слоев, а также создание элементной базы современной микроэлектроники.

В 2004 г. успешно защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата технических наук на тему: «Формирование из газовой фазы диэлектрических и проводящих слоев интегрированных в твердотельные структуры микроэлектроники». В 2010 г. - диссертацию на соискание ученой степени доктора технических наук на тему: «Формирование из газовой фазы функциональных слоев субмикронных структур микроэлектроники». Принимал участие в 19 НИР и НИОТР, в том числе в качестве научного руководителя. В июне 2014 г. Турцевичу А.С. присвоено ученое звание доцента.

С 2014 г. - член Совета по защите диссертаций, с 2015 г. - член экспертного Совета Министерства промышленности и председатель секции экспертного Совета «Микроэлектроника, радиоматериалы и технологии производства микроэлектронных изделий».

А.С. Турцевич - член редколлегии научно-технического журнала «Приборы и методы измерений» и научно-методического журнала «Вестник Могилевского государственного университета им. А.А. Кулешова (Серия В. Математика, физика, биология»).

А.С. Турцевич - автор более 560 научных работ по испытаниям и способам изготовления микросхем и их элементов, а также газофазному осаждению диэлектрических и проводящих слоев, в том числе 14 монографий, 346 статей в научных и научно-технических журналах и сборниках, тезисов докладов и статей в материалах конференций; автор более 200 изобретений, полезных моделей, промышленных образцов, компьютерных программ и топологий интегральных микросхем в области микроэлектроники, электроники и энергетики, многие из которых успешно реализуются на производстве.

А.С. Турцевич - лауреат премии Министерства промышленности Республики Беларусь в области науки и техники (2004, 2006 , 2009, 2010, 2011, 2013 гг.), награжден Почетной грамотой Министерства промышленности (2008, 2013, 2017 гг.), Почетной грамотой НАН Беларуси (2013 г.), Почетной грамотой Белорусского Общества Изобретателей и Рационализаторов (2014 г.), Золотой медалью ВОИС «За изобретательство» (2017 г.).

Награжден почетным знаком «Изобретатель СССР» и является почетным рационализатором НПО «Интеграл» - внедрено 78 патентов, 8 топологий ИМС и 3 компьютерные программы.

Участвовал в работе более 110 международных, всесоюзных и республиканских научно-технических конференций.

Избранные научные труды

  1. Турцевич, А. С. Пленки поликристаллического кремния в технологии производства интегральных схем и полупроводниковых приборов / А. С. Турцевич, Л. П. Ануфриев. - Минск : Белорус. наука, 2006. - 231 с. - Библиогр.: с. 216-229.
  2. Турцевич, А. С. Формирование из газовой фазы функциональных слоев интегральных микросхем / А. С. Турцевич, В. А. Емельянов. - Минск : Интегралполиграф, 2007. - 221 с.
  3. Емельянов, В. А. Оборудование для химического осаждения из газовой фазы функциональных слоев / В. А. Емельянов, А. С. Турцевич, О. Ю. Наливайко. - Минск : Белорус. наука, 2007. - 255 с.
  4. Емельянов, В. А. Эпитаксиальные слои кремния и германия для интегральных микросхем / В. А. Емельянов, А. С. Турцевич, О. Ю. Наливайко. - Минск : Интегралполиграф, 2008. - 287 с. - Библиогр.: с. 282-287.
  5. Турцевич, А. С. Формирование из газовой фазы функциональных слоев субмикронных структур микроэлектроники : автореф. дис. … д-ра техн. наук : 05.27.01 / Турцевич Аркадий Степанович ; ГНУ «Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси». - Минск, 2010. - 52 с. - Библиогр.: с. 33-49 (137 назв.).
  6. Солодуха, В. А. Металлокерамические корпуса мощных полупроводниковых приборов : монография / В. А. Солодуха, А. С. Турцевич, А. Ф. Керенцев. - Гомель : ГГУ им. Ф. Скорины, 2010. - 214 с. : ил., табл. - Библиогр. в конце глав.
  7. Белоус, А. И. Основы схемотехники микроэлектронных устройств / А. И. Белоус, В. А. Емельянов, А. С. Турцевич. - Москва : Техносфера, 2012. - 471 с. : ил., табл., схемы. - (Мир электроники ; VII-43). - Библиогр. в конце глав.
  8. Белоус, А. И. Полупроводниковая силовая электроника / А. И. Белоус, С. А. Ефименко, Т. С. Турцевич. - Москва : Техносфера, 2013. - 214 с. ; ил., табл., схемы. - (Мир электроники ; VII-49). - Библиогр.: с. 206-214 (140 назв.).
  9. Основы инновационно-логистического управления развитием промышленности / Л. И. Архипова [и др.] ; под общ. ред. А. В. Брыкина и А. С. Турцевича. - Гомель : ГГУ им. Ф. Скорины, 2014. - 303 с. : ил., схемы.
  10. Белоус, А. И. Особенности конструирования микроэлектронных устройств для космических аппаратов : в 2 ч. / А. И. Белоус, А. С. Турцевич, В. И. Овчинников ; М-во образования Респ. Беларусь, Учреждение образования «Гомел. гос. ун-т им. Ф. Скорины». - Гомель : ГГУ им. Ф. Скорины, 2015. - Ч. 1. - 301 с. : ил., схемы, табл.
  11. Белоус, А. И. Особенности конструирования микроэлектронных устройств для космических аппаратов : в 2 ч. / А. И. Белоус, А. С. Турцевич, В. И. Овчинников ; М-во образования Респ. Беларусь, Учреждение образования «Гомел. гос. ун-т им. Ф. Скорины». - Гомель : ГГУ им. Ф. Скорины, 2015. - Ч. 2. - 247 с. : ил., схемы, табл.
  12. Влияние температуры отжига на сегнетоэлектрические свойства пленок легированного ниобием танталата стронция-висмута / Д. А. Голосов, В. В. Колос, А. С. Турцевич, Д. Э. Окоджи // Микроэлектроника. - 2016. - № 1. - С. 13-20. - (Технологические процессы). - Библиогр.: 8 назв.

Источник

  1. Автобиография.

РНТБ, 2017.